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高分子材料雜質(zhì)分析儀

高分子材料雜質(zhì)分析儀

系統(tǒng)集成測試報(bào)告參數(shù)：
                                系統(tǒng)時(shí)間分辨率（用50μCi 60Co源測量）：
                                保證值：≤ 200ps；
                                典型值：≤ 180ps

高分子材料雜質(zhì)分析儀

1930年Dirac從理論上預(yù)言了正電子的存在和1932年Anderson在觀察宇宙線中發(fā)現(xiàn)了正電子之后，揭開了研究物質(zhì)和反物質(zhì)相互作用的序幕。1951年Deutsch發(fā)現(xiàn)了正電子和電子構(gòu)成的束縛態(tài)—正電子素的存在更加深了對正電子物理的研究工作，同時(shí)，也開展了許多應(yīng)用研究工作，形成了***門獨(dú)立的課題正電子湮沒譜學(xué)。

隨著對正電子和正電子素及其與物質(zhì)相互作用特性的深入了解，使正電子湮沒技術(shù)在原子物理、分子物理、固態(tài)物理、表面物理、化學(xué)及生物學(xué)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，并取得獨(dú)特的研究成果。它在諸如檢驗(yàn)量子電動力學(xué)基本理論、研究弱相互作用、基本對稱性及天體物理等基礎(chǔ)科學(xué)中也發(fā)揮了重要作用。同時(shí)，隨著人們對正電子湮沒技術(shù)方法學(xué)上研究的深入進(jìn)展，使這***門引人注目的新興課題得到更快的發(fā)展。

實(shí)驗(yàn)用放射源22Na，其衰變綱圖如右圖所示。該源發(fā)生 衰變放出***個正電子后幾乎同時(shí)（僅遲3 ps左右）還發(fā)射***個能量為1.28 MeV的 光子。因此，測量1.28 MeV的 光子與正電子湮沒后放出的 光子（0.511 MeV）之間的時(shí)間間隔，就可得到正電子壽命。對每個湮沒事件都可測得湮沒過程所需時(shí)間。對足夠多的湮沒事件（~106個）進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，就可得到***個正電子湮沒壽命譜。